7月25日消息，国家知识产权局信息显示，中微半导体设备（上海）股份有限公司申请一项名为“一种钨的填充方法”的专利。申请公布号为CN122458769A，申请号为CN202510116725.5，申请公布日期为2026年7月24日，申请日期为2025年1月23日，发明人谢忠帅、吕术亮、徐立、李远、王晓明，专利代理机构上海元好知识产权代理有限公司，专利代理师贾慧琴、张静洁，分类号H10W20/00、C23C16/14、C23C16/455。
元股证券:ygzq.hk专利摘要显示，本发明公开了一种钨的填充方法。包括：提供一基片置于反应腔中，基片包含介质层，介质层中具有若干沿水平方向延伸的凹陷结构；向反应腔中通入第一反应气体，第一反应气体包括含氢气体，其吸附于凹陷结构的内壁表面；向反应腔中通入第二反应气体和辅助气体，第二反应气体包括含钨前驱体，辅助气体至少包括氮气，含钨前驱体与吸附在凹陷结构内壁表面的含氢气体反应，生长钨；其中，第一反应气体、第二反应气体和辅助气体以憋压方式泵入反应腔。本发明在辅助气体中引入氮气后，能显著降低沉积的钨层的氟含量和电阻率，提高器件性能和可靠性。
配资行情
天眼查数据显示，中微半导体设备（上海）股份有限公司成立日期2004年5月31日，法定代表人尹志尧，所属行业为专用设备制造业，企业规模为大型，注册资本62614.5307万人民币，实缴资本62691.781万人民币，注册地址为上海市浦东新区金桥出口加工区（南区）泰华路188号。中微半导体设备（上海）股份有限公司共对外投资了30家企业，参与招投标项目90次，财产线索方面有商标信息116条，专利信息1739条，拥有行政许可88个。
中微半导体设备（上海）股份有限公司近期专利情况如下：
序号专利名称专利类型法律状态申请号申请日期公开(公告)号公开(公告)日期发明人1一种射频功率供应系统发明专利实质审查的生效、公布CN202511924458.02025-12-18CN121879506A2026-04-17倪图强、李博睿、刘依、肖尧、黄阳、邱文杰2一种工艺顶盖及气相沉积设备实用新型授权CN202521979639.92025-09-15CN223458392U2025-10-21刘从灵、谢振南、郑振宇、柴浩瑞、姜勇、郭世平3晶圆托盘外观专利授权CN202530511724.12025-08-28CN309976984S2026-05-12代宇通、汪国元、黄稳、姜勇4聚焦环外观专利授权CN202530468204.72025-08-08CN310024085S2026-06-09范光伟、周艳5聚焦环外观专利授权CN202530468218.92025-08-08CN310024087S2026-06-09范光伟、周艳6聚焦环外观专利授权CN202530468041.22025-08-08CN310024084S2026-06-09范光伟、周艳7气体喷淋头外观专利授权CN202530466397.22025-08-07CN309910861S2026-04-10孟可、周艳、李开元8气体喷淋头外观专利授权CN202530466450.92025-08-07CN309910862S2026-04-10朱永成9气体喷淋头外观专利授权CN202530466394.92025-08-07CN309910860S2026-04-10周艳、李开元10接地环外观专利授权CN202530466452.82025-08-07CN310024083S2026-06-09周艳、李开元11物理气相沉积设备及其磁控管调整机构实用新型授权CN202521450528.92025-07-10CN224494308U2026-07-14马化韬、刘学滨、王能语12一种供气系统及半导体处理装置实用新型授权CN202521318120.62025-06-25CN224494325U2026-07-14刘进、徐灿阳、许灿、沈成绪、杨闰清13气体输送管道及半导体处理装置实用新型授权CN202521194367.12025-06-11CN224516526U2026-07-17梁锟、王海涛14一种气相沉积装置实用新型授权CN202521091304.32025-05-29CN224337694U2026-06-09何伟业、王能语、刘学滨、陈冬、张泽涛、刘雯伊15一种聚焦环功率调节组件实用新型授权CN202520964307.72025-05-15CN224342273U2026-06-09田宁、叶如彬、范光伟16一种等离子体处理装置及其约束环组件实用新型授权CN202520892625.72025-05-07CN224342272U2026-06-09叶如彬、范光伟、马越、孟可、田宁17一种真空吸盘、基座组件和薄膜沉积装置实用新型授权CN202520892567.82025-05-07CN224350749U2026-06-12董维、庄宇峰、付海涛、王晓明、李远18一种金属钛层的沉积工艺发明专利实质审查的生效、公布CN202510559967.12025-04-29CN122214841A2026-06-16沈成绪、许灿19反应腔、高深宽比结构及其形成方法发明专利授权、实质审查的生效、公布CN202510550377.22025-04-28CN120072612B2025-07-25尹志尧、徐伟娜、张一川、张凯、丛海、刘志强20基片托盘外观专利授权CN202530230568.12025-04-25CN309730273S2026-01-09陈耀、王家毅、陶章峰、陆顺开21基片托盘外观专利授权CN202530230569.62025-04-25CN309730274S2026-01-09陈耀、王家毅、陶章峰、陆顺开22环组件及外延生长设备实用新型授权CN202520811017.92025-04-25CN224337799U2026-06-09张辉、姜银鑫、陆顺开23一种下电极组件及等离子体处理设备实用新型授权CN202520786770.72025-04-23CN224342271U2026-06-09叶如彬、范光伟、马越、田宁、孟可24一种半导体处理设备及其气体喷淋头实用新型授权CN202520786902.62025-04-23CN224343720U2026-06-09程程、李雪子25电磁线圈组件及半导体加工设备实用新型授权CN202520763154.X2025-04-21CN224232426U2026-05-12王亚军、周国祥26一种磁控管组件及磁控溅射设备实用新型授权CN202520736456.82025-04-17CN224337693U2026-06-09刘畅、刘恺民、王能语27一种基片处理系统实用新型授权CN202520716379.X2025-04-15CN224267209U2026-05-22徐义、陈琦、莱纳德·刘、梁冬冬、张海龙、陶珩、吴红星28一种气相沉积设备及半导体处理系统发明专利公布CN202510444720.52025-04-09CN120830094A2025-10-24尹志尧、倪图强、丛海、请求不公布姓名、杨宽、张海龙、朱荣帅29一种升降驱动组件和半导体工艺设备实用新型授权CN202520618963.12025-04-02CN224020732U2026-03-20李琳、王许、朱永成、周艳30下电极组件及等离子体处理设备实用新型授权CN202520539349.62025-03-25CN224123342U2026-04-14田宁、叶如彬、范光伟31一种掩膜结构形成方法发明专利实质审查的生效、公布CN202510293724.82025-03-12CN121496378A2026-02-10罗彬、赖锋源、张海龙、尹志尧、丛海32掩膜结构及其形成方法发明专利实质审查的生效、公布CN202510293826.X2025-03-12CN121496322A2026-02-10罗彬、赖锋源、刘健钢、尹志尧、丛海33一种掩膜结构及其制备方法、半导体设备发明专利实质审查的生效、公布CN202510293764.22025-03-12CN121496321A2026-02-10尹志尧、丛海、罗彬、赖锋源、张海龙34等离子体约束结构及等离子体处理设备实用新型授权CN202520402185.22025-03-07CN224232637U2026-05-12叶如彬、马越、王洪青、范光伟35一种环组件及成膜装置实用新型授权CN202520251908.32025-02-17CN223780392U2026-01-09郭世平、姜勇、郑振宇、丁伟36一种边缘环组件、下电极组件、等离子体处理装置和制备方法发明专利授权、实质审查的生效、公布CN202510165658.62025-02-14CN119673741B2025-05-30叶如彬、范光伟、田宁、吕翌晟37一种阻抗匹配器、射频组件与等离子体处理设备实用新型授权CN202520210442.22025-02-10CN222637222U2025-03-18卢明、李博睿、倪图强38一种半导体加工设备及其控制方法发明专利授权、实质审查的生效、公布CN202510147729.X2025-02-10CN119601451B2025-05-09李博睿、卢明、倪图强39一种化学气相沉积装置实用新型授权CN202520172387.22025-01-24CN223780352U2026-01-09杜冰洁、路今、姜银鑫40一种基座及化学气相沉积设备实用新型授权CN202520166280.72025-01-23CN224001504U2026-03-17梁轩、徐立、吕术亮41一种钨的填充方法发明专利公布CN202510116725.52025-01-23CN122458769A2026-07-24谢忠帅、吕术亮、徐立、李远、王晓明42一种约束环组件、等离子体处理装置及方法发明专利公布CN202510104160.92025-01-22CN122455619A2026-07-24田宁、叶如彬43一种下电极组件、等离子体处理设备及其电压控制方法发明专利授权、实质审查的生效、公布CN202510098695.X2025-01-21CN119517722B2025-05-13田宁、叶如彬44半导体处理设备及方法发明专利公布CN202510098221.52025-01-21CN122455617A2026-07-24王智昊、王许45一种隔离结构及化学气相沉积装置实用新型授权CN202520123428.92025-01-17CN223780362U2026-01-09黄稳、李勇志、姜勇、陆顺开46缓冲装置实用新型授权CN202520107111.62025-01-16CN223780359U2026-01-09杨闰清、徐灿阳、陈冬、许灿、何伟业47一种化学气相沉积装置发明专利授权CN202510073813.12025-01-16CN119932527B2026-04-10张辉、姜银鑫、姜勇48一种化学气相沉积装置实用新型授权CN202520086318.X2025-01-14CN223780351U2026-01-09陆顺开、周子琛、张辉49一种气体流量控制阀、气体输送装置及气体供应方法发明专利实质审查的生效、公布CN202411976013.22024-12-31CN119374033A2025-01-28徐志鹏、倪图强、连增迪50化学气相沉积设备实用新型授权CN202423319091.32024-12-31CN223780363U2026-01-09朱泉松、庄宇峰、吕术亮、李远短线操作
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